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UPD43256BGW-B12 發(fā)布時間 時間�2025/3/28 9:11:43 查看 閱讀�42

UPD43256BGW-B12 是由 NEC(現(xiàn)� Renesas)生�(chǎn)的一� CMOS 靜態(tài) RAM(SRAM)芯�。該芯片主要用作高速緩存存儲器或臨時數(shù)�(jù)存儲單元,適用于需要快速訪問和低延遲的場景�
  它采用靜�(tài)存儲技�(shù),無需刷新操作即可保持?jǐn)?shù)�(jù)完整�,具有高可靠性和低功耗的特點(diǎn)。UPD43256BGW-B12 以其卓越的性能和穩(wěn)定性在嵌入式系�(tǒng)、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中得到了廣泛應(yīng)��

參數(shù)

容量�64K x 8 bits (512KB)
  工作電壓�4.5V ~ 5.5V
  訪問時間�15ns
  封裝形式�44-pin Plastic Quad Flat Pack (PQFP)
  工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
  接口類型:并�

特�

1. 高速訪問能力:具備 15 納秒的典型訪問時�,能夠滿足對速度要求極高的應(yīng)用需��
  2. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)模式下功耗顯著降�,非常適合電池供電的�(shè)��
  3. 靜態(tài)存儲技�(shù):無需定期刷新,數(shù)�(jù)可以長期保存,直到電源關(guān)閉�
  4. 寬工作電壓范圍:支持 4.5V � 5.5V 的電壓輸�,適�(yīng)多種電源�(huán)��
  5. 工業(yè)級溫度范圍:能夠� -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,確保在惡劣條件下仍能正常工��
  6. 并行接口:提供高效的并行�(shù)�(jù)傳輸方式,易于與微控制器或其他外�(shè)集成�
  這些特性的�(jié)合使� UPD43256BGW-B12 成為需要高可靠�、高速度和低功耗的嵌入式系�(tǒng)及工�(yè)�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

1. 嵌入式系�(tǒng)的高速緩存存儲器�
  2. 工業(yè)控制�(shè)備中的臨時數(shù)�(jù)緩沖區(qū)�
  3. 通信�(shè)備的�(shù)�(jù)暫存和處��
  4. 圖形顯示緩沖區(qū),用于存儲圖像數(shù)�(jù)以提高渲染速度�
  5. �(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)存儲�
  6. 測試測量儀器中的高速數(shù)�(jù)采集和暫存�
  由于其高可靠�、快速訪問能力和寬溫工作范圍,UPD43256BGW-B12 在需要高效數(shù)�(jù)管理的領(lǐng)域表�(xiàn)尤為突出�

替代型號

UPD43256BPC-B12
  AS6C4008
  CY62256LLC-15ZTI
  IS61LV5128AL-15BLI

upd43256bgw-b12推薦供應(yīng)� 更多>

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