UPA1872BGR是一款高�、高功率的N溝道MOSFET晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件適用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)旨在提供出色的電流處理能力和耐熱性能,確保在�(yán)苛條件下依然能夠�(wěn)定運(yùn)��
UPA1872BGR屬于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,具有較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高頻開�(guān)�(yīng)用中減少功率損耗并提高效率。同�(shí),它具備較高的擊穿電�,可滿足多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備的需求�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�54A
脈沖漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
總功耗:160W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝類型:TO-263-3
UPA1872BGR的主要特�(diǎn)是其�(yōu)異的電氣性能和可靠�。以下是其詳�(xì)特性:
1. 高電流承載能力:該器件支持高�(dá)54A的連續(xù)漏極電流�120A的脈沖漏極電流,使其非常適合大功率應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅�1.5mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:具備短的開啟和�(guān)斷時(shí)�,適合高頻開�(guān)模式電源(SMPS)和其他高速切換電路�
4. 高擊穿電壓:60V的最大漏源電壓確保了其在較高電壓�(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 良好的熱性能:通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠有效散�,從而提升長(zhǎng)�(shí)間工作時(shí)的可靠��
6. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的�(jié)溫范�,適�(yīng)各種極端條件�
UPA1872BGR廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS):由于其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力,UPA1872BGR非常適合用于各類開關(guān)電源的設(shè)�(jì)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中,該器件可以顯著降低能量損��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):可用于�(qū)�(dòng)中小型直流電�(jī),提供高效的功率輸出�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):幫助�(shí)�(xiàn)�(duì)電池充放電過(guò)程的有效控制�
5. 照明系統(tǒng):例如LED�(qū)�(dòng)器中的功率管理部分�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服控制器或其他需要高性能功率處理的場(chǎng)��
IPA1872BGR, STP55NF06L, IRFZ44N