UMR11NTR 是一款單通道、低導通電阻的 N 溝道邏輯電平增強� MOSFET。該器件采用小型化封裝,廣泛用于需要高效開關和低功耗的應用場景�。其出色的電氣特性和緊湊的外形使其成為消費電�、工�(yè)控制以及通信設備的理想選擇�
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):4.8A
導通電阻(Rds(on)):35mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗(Ptot):0.79W
結溫范圍(Tj):-55°C � +150°C
封裝類型:SOT-23
UMR11NTR 具有低導通電阻,這有助于減少傳導損耗并提高效率�
該器件支持邏輯電平驅�,這意味著可以直接由常見的微控制器或邏輯電路進行控制而無需額外的驅動電��
� SOT-23 封裝形式提供了良好的熱性能,并且非常節(jié)省空�,適合便攜式和高密度設計應用�
MOSFET 的快速開關能力使得它非常適合高頻開關電源、負載開關以及其他脈寬調� (PWM) 應用�
此外,該器件具有較高的浪涌電流承受能�,能夠在短時間內處理超過額定電流的脈沖�
UMR11NTR 常用于直�-直流轉換�、負載開�、電機驅動器、電池保護電路等場合�
在消費電子產品中,它可以作為音頻放大器的開關元件�
工業(yè)領域中,該器件可用于各類傳感器接口和信號調節(jié)電路�
通信設備�,UMR11NTR 可以用作電源管理模塊的關鍵組��
AO3400
FDC6551
IRLML6401