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UMH2NTN 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 18:45:27 查看 閱讀�23

UMH2NTN 是一款雙通道 N 溝道增強� MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和音頻功率放大器等場景。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)�
  這款 MOSFET 采用 TO-252 封裝,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠顯著減少安裝空間并提高散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻:70mΩ
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型值下� 70mΩ,可降低功率損耗�
  2. 快速開�(guān)特�,具備較短的開啟與關(guān)斷延遲時��
  3. 高擊穿電壓設(shè)計(60V),確保在高電壓�(huán)境下運行�(wěn)��
  4. 小型� TO-252 封裝,適用于緊湊型電路設(shè)��
  5. 支持高頻率操�,適配多種高效能�(yīng)用需��
  6. 具備良好的熱�(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持可靠性能�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器的功率級開關(guān)�
  3. 電機控制與驅(qū)動電��
  4. 音頻功率放大器中的輸出級開關(guān)�
  5. 各種負載開關(guān)和保護電路設(shè)計�

替代型號

IRLML6402
  FDP5570
  AO3400

umh2ntn推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

umh2ntn資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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umh2ntn參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 � NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�47k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)68 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱UMH2NTN-NDUMH2NTNTR