UMH2NTN 是一款雙通道 N 溝道增強� MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和音頻功率放大器等場景。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的性能表現(xiàn)�
這款 MOSFET 采用 TO-252 封裝,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠顯著減少安裝空間并提高散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻:70mΩ
總功耗:1.3W
工作溫度范圍�-55� to +150�
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型值下� 70mΩ,可降低功率損耗�
2. 快速開�(guān)特�,具備較短的開啟與關(guān)斷延遲時��
3. 高擊穿電壓設(shè)計(60V),確保在高電壓�(huán)境下運行�(wěn)��
4. 小型� TO-252 封裝,適用于緊湊型電路設(shè)��
5. 支持高頻率操�,適配多種高效能�(yīng)用需��
6. 具備良好的熱�(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持可靠性能�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器的功率級開關(guān)�
3. 電機控制與驅(qū)動電��
4. 音頻功率放大器中的輸出級開關(guān)�
5. 各種負載開關(guān)和保護電路設(shè)計�
IRLML6402
FDP5570
AO3400