UMG8NTR 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。這款器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率并降低功��
該芯片通常以表面貼裝封裝形式提�,適合自�(dòng)化生�(chǎn),并且其耐壓能力使其適用于中低壓�(yīng)用領(lǐng)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�37nC
總電容:1340pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
UMG8NTR 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間�
5. 寬工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
UMG8NTR 常用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流電路�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 各類(lèi)工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品中的功率管理模塊�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,該器件特別適合需要高效能和小型化的應(yīng)用場(chǎng)��
IRF840, STP12NF06L, FDN337N