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UMF7NTR 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 19:04:12 查看 閱讀:3

UMF7NTR是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件通常用于開關和放大電路中,具有低導通電阻、高開關速度和良好的熱穩(wěn)定性等特性。它適用于多種電子應用領域,例如電源管理、電機驅動以及負載切換等。
  該MOSFET采用小型化的SOT-23封裝形式,有助于節(jié)省印刷電路板的空間,并具備較高的電氣性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:450mA
  導通電阻(Rds(on)):4.5Ω(在Vgs=10V時)
  總功耗:410mW
  工作結溫范圍:-55℃至+150℃

特性

UMF7NTR具備以下特點:
  1. 極低的導通電阻確保了更高的效率和更低的功率損耗。
  2. 高速開關能力使其非常適合高頻應用環(huán)境。
  3. 小型SOT-23封裝便于設計緊湊型電路。
  4. 具有強大的靜電防護能力,從而提高了產(chǎn)品的可靠性。
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。

應用

這種MOSFET主要應用于以下場景:
  1. 開關電源中的同步整流器。
  2. 電池供電設備中的負載開關。
  3. 消費類電子產(chǎn)品中的信號切換。
  4. 便攜式設備中的DC-DC轉換電路。
  5. 各種保護電路,如過流保護或短路保護。

替代型號

UMF7NTRH, BSS138, 2N7000

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umf7ntr參數(shù)

  • 制造商ROHM Semiconductor
  • 產(chǎn)品種類Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置Dual
  • 晶體管極性NPN
  • 典型輸入電阻器2.2 KOhms
  • 典型電阻器比率1
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體UMT-6
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO12 V at TR1
  • 峰值直流集電極電流500 mA at TR1, 100 mA at TR2
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 封裝Reel
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 工廠包裝數(shù)量3000