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UMD2NTR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 13:15:54 查看 閱讀�31

UMD2NTR 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�,例如電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等。由于其�(yōu)良的電氣性能和可靠�,UMD2NTR 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
  這款 MOSFET 采用先�(jìn)的制造工�,能夠在高頻條件下提供較低的功耗和較高的效��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�35A
  柵極閾值電壓:2.1V
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55� � 150�
  封裝形式:TO-220

特�

UMD2NTR 的主要特性包括:
  1. 高電流承載能力:可支持高�(dá) 35A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
  2. 極低�(dǎo)通電阻:僅為 4.5mΩ,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,適合高頻操作�
  4. 耐熱增強(qiáng)封裝:采� TO-220 封裝,具有良好的散熱性能�
  5. 寬工作溫度范圍:能夠適應(yīng)極端�(huán)境條�,從 -55� � +150� 均能�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,確保在各種�(yīng)用中的長(zhǎng)期穩(wěn)定性�

�(yīng)�

UMD2NTR 可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS):作為主�(kāi)�(guān)或同步整流器使用�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型的電動(dòng)�(jī)�
  3. �(fù)載切換:�(shí)�(xiàn)�(duì)不同�(fù)載的快速開(kāi)啟和�(guān)��
  4. 電池保護(hù)電路:防止過(guò)�、過(guò)放及短路等情況發(fā)生�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如變頻器、逆變器等電力電子裝置�
  6. 通信�(shè)備:為基站和其他電信基礎(chǔ)�(shè)施提供高效的電源管理方案�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5500

umd2ntr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

umd2ntr資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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umd2ntr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�1 �(gè) NPN�1 �(gè) PNP - �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)56 @ 5mA�5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 500µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�250MHz
  • 功率 - 最�150mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�UMT6
  • 包裝帶卷 (TR)