UMD12NTR是一種高�、高功率的MOSFET晶體�,采用TO-220封裝形式。這種器件通常用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等應用中。該MOSFET具有較低的導通電阻和較高的耐壓能力,從而在各種電力電子電路中實�(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和控制�
UMD12NTR是N溝道增強型場效應晶體�,其主要功能是在電路中作為高效的電子開關(guān)或放大元件使�。通過柵極電壓控制漏極和源極之間的電流流動,從而實�(xiàn)對負載的精確控制�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
柵源電壓:�20V
導通電阻:0.18Ω
總功耗:140W
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
UMD12NTR具有較高的雪崩能量承受能力,能夠在異常情況下保護器件免受損壞。它還具備快速開�(guān)速度,可以有效降低開�(guān)損�,提高整體效��
此外,該器件的低導通電阻有助于減少傳導損�,特別是在高電流應用場景下表�(xiàn)尤為明顯�
由于采用了先進的制造工藝,該MOSFET具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適合長時間運行于惡劣的工作�(huán)境�
UMD12NTR廣泛應用于開�(guān)模式電源(SMPS�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制器以及太陽能逆變器等�(lǐng)��
在開�(guān)電源�(shè)計中,該器件可作為主開關(guān)管使�,提供高效的電能�(zhuǎn)�。在電機�(qū)動方�,它可以用來控制大功率電機的啟動、停止及�(diào)速等功能�
此外,該MOSFET還可用于過流保護電路和負載切換電路中,確保系�(tǒng)安全可靠地運行�
IRF840,
STP12NK65Z,
FDP18N65C,
IXTH12N65L