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UGS02A12T3V3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 13:50:40 查看 閱讀�7

UGS02A12T3V3是一種高性能的功率MOSFET芯片,通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
  該芯片屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,適用于中高電壓場景下的電流控制與切換操�。其封裝形式多樣,能夠滿足不同應(yīng)用場景的需��

參數(shù)

型號:UGS02A12T3V3
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.0Ω
  總功耗(Ptot):180W
  工作溫度范圍(Tj):-55℃至+175�

特�

UGS02A12T3V3的主要特性包括:
  1. 高電壓耐受能力:最大漏源電壓高�(dá)650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�3.0Ω,有助于減少�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能:具備低柵極電荷和快速開�(guān)速度,有效降低開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì):通過�(yán)格的�(zhì)量測試和可靠性驗(yàn)�,確保長期穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 小型化封裝:支持多種緊湊型封裝形�,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�

�(yīng)�

UGS02A12T3V3廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)�,用于提高電源轉(zhuǎn)換效��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)高效直流電壓變換�
  3. 電機(jī)�(qū)動:控制電機(jī)的啟�、停止和速度�(diào)節(jié)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):保護(hù)電池免受過充、過放等異常情況的影��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC)和變頻器中的功率控制模��
  6. 汽車電子:包括車載充電器、LED照明�(qū)動以及電動助力轉(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS��

替代型號

IRFP460N
  STW14NM65
  FQP17N65C
  IXYS: IXGH65N120T2

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