UCC27712QDRQ1是一�620V高側(cè)和低�(cè)柵極�(qū)�(dòng)�,具�1.8A拉電��2.8A灌電流能�,專用于�(qū)�(dòng)功率MOSFET或IGBT�
�(duì)于IGBT,建議的VDD工作電壓�10V�20V,對(duì)于功率MOSFET,建議的VDD工作電壓�10V�17V。UCC27712QDRQ1包含保護(hù)功能,在此情況下,當(dāng)輸入保持開路狀�(tài)�(shí),或�(dāng)未滿足最低輸入脈寬規(guī)范時(shí),輸出保持低�。互鎖和死區(qū)�(shí)間功能可防止兩�(gè)輸出同時(shí)打開。此�,該器件可接受的偏置電源范圍寬幅�(dá)10V�22V,并且為VDD和HB偏置電源提供了UVLO保護(hù)。 UCC27712QDRQ1采用TI先�(jìn)的高壓器件技�(shù),具有強(qiáng)大的�(qū)�(dòng)�,擁有卓越的噪聲和瞬�(tài)抗擾�,包括較大的輸入�(fù)電壓容差、高dV/dt容差、開�(guān)節(jié)�(diǎn)上較寬的�(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)(NTSOA),以及互��
UCC27712QDRQ1包含一�(gè)接地基準(zhǔn)通道(LO)和一�(gè)懸空通道(HO),后者專用于自舉電源或隔離式電源操作。該器件具有快速傳播延遲和兩�(gè)通道之間卓越的延遲匹�。在UCC27712QDRQ1�,每�(gè)通道均由其各自的輸入引腳HI和LI控制�
符合面向汽車�(yīng)用的 AEC-Q100�(biāo)�(zhǔn)
器件 HBM 分類等級(jí) 1C
器件 CDM 分類等級(jí) C4B
高側(cè)和低�(cè)配置
雙輸�,帶輸出互鎖� 150ns 死區(qū)�(shí)�
在高�(dá) 620V 的電壓下完全可正常工�,HB 引腳上的絕對(duì)最高電壓為 700V
VDD 建議范圍� 10V � 20V
峰值輸出電� 2.8A 灌電��1.8A 拉電�
50V/ns � dv/dt 抗擾�
HS 引腳上的邏輯�(yùn)行電壓高�(dá) �11V
輸入�(fù)電壓容差� �5V
大型�(fù)瞬態(tài)安全工作區(qū)
為兩�(gè)通道提供 UVLO 保護(hù)
短傳播延�(典型� 100ns)
延遲匹配(典型� 12ns)
低靜�(tài)電流
TTL � CMOS 兼容輸入
行業(yè)�(biāo)�(zhǔn) SOIC-8 封裝
所有參�(shù)額定溫度范圍:�40°C � +125°C
商品分類 | 柵極�(qū)�(dòng)IC | 品牌 | TI(德州儀�) |
封裝 | 14-SOIC | 包裝 | 整包� |
電壓-供電 | 10V~18V | 工作溫度 | -40°C~125°C(TJ� |
安裝類型 | 表面貼裝� | 基本�(chǎn)品編�(hào) | UCC27714 |
HTSUS | 8542.39.0001 | �(qū)�(dòng)配置 | 半橋 |
通道類型 | �(dú)立式 | �(qū)�(dòng)器數(shù) | 2 |
柵極類型 | IGBT,N溝道MOSFET | 邏輯電壓-VIL,VIH | 1.2V�2.7V |
電流-峰值輸出(灌入,拉出) | 4A�4A | 輸入類型 | 非反� |
上升/下降�(shí)間(典型值) | 15ns�15ns | 高壓�(cè)電壓-最大值(自舉� | 600V |
�(chǎn)品應(yīng)� | 汽車�(jí) |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� | 濕氣敏感性等�(jí)(MSL) | 2�1年) |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� | ECCN | EAR99 |
UCC27714D原理�
UCC27714D引腳�
UCC27714D封裝