TX32258M4DBDD2T 是一款基� NAND 閃存技�(shù)的大容量存儲(chǔ)芯片,通常用于嵌入式系�(tǒng)、消�(fèi)類電子設(shè)備以及工�(yè)�(jí)�(yīng)�。該芯片具備高密度存�(chǔ)能力,同�(shí)支持快速數(shù)�(jù)讀寫操�,適合需要高效數(shù)�(jù)管理的場(chǎng)景。其封裝形式� BGA(球柵陣列),能夠有效減少體積并提高信號(hào)完整��
TX32258M4DBDD2T 的主要特�(diǎn)是提供了�(wěn)定的性能和可靠�,特別是在頻繁讀寫和�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的情況下表�(xiàn)�(yōu)�。此�,它還支持多種接口協(xié)�,便于與主控芯片�(jìn)行無(wú)縫連接�
容量�32GB
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MB/s
擦寫壽命�3000次(典型值)
工作溫度范圍�-25°C � +85°C
待機(jī)功耗:小于10uA
TX32258M4DBDD2T 采用先�(jìn)的制程工藝制�,具有以下特�(diǎn)�
1. 高密度存�(chǔ)�?jiǎn)涡酒纯�?shí)�(xiàn)大容量存�(chǔ),減少了�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
2. 快速讀寫性能:支� Toggle DDR 2.0 接口,數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 400MB/s�
3. 低功耗設(shè)�(jì):待�(jī)功耗極�,非常適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
4. �(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試驗(yàn)�,確保在惡劣�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 廣泛的工作溫度范圍:� -25°C � +85°C,適用于各種�(huán)境條件下的應(yīng)用需求�
TX32258M4DBDD2T 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng):如路由�、網(wǎng)�(guān)等網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括智能手機(jī)、平板電�、數(shù)碼相�(jī)以及其他便攜式設(shè)備�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:用作工業(yè)控制器或�(shù)�(jù)記錄器中的存�(chǔ)介質(zhì)�
4. 汽車電子:可用于�(dǎo)航系�(tǒng)、行車記錄儀等車載設(shè)備的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)部分�
5. �(yī)療設(shè)備:為醫(yī)療儀器提供可靠的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
MX32LUM4ABDE, KBG30ZMV401E