TSM2N60CZ是一種N溝道增強型功率MOSFET,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)�、逆變器以及其他高電壓、大電流的功率轉(zhuǎn)換電路中。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠在高頻應用中提供高效的性能�
該芯片由知名廠商生產(chǎn),適用于工業(yè)級和消費級電子設備中的多種應用場��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
柵極閾值電壓:3V~5V
導通電阻(典型值)�0.8Ω
總功耗:140W
工作溫度范圍�-55℃~+150�
封裝形式:TO-220
TSM2N60CZ的主要特點是其高耐壓能力以及較低的導通電阻,這使得它在高壓環(huán)境下的效率表�(xiàn)�(yōu)��
1. 高擊穿電壓:600V的最大漏源電壓使其適用于高電壓應用場��
2. 快速開關速度:由于其�(yōu)化的柵極電荷設計,開關損耗顯著降低�
3. 良好的熱�(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
4. 低導通電阻:0.8Ω的導通電阻確保了更低的傳導損耗�
5. TO-220封裝:便于散熱并適合各種PCB布局需��
TSM2N60CZ適合用于以下應用領域�
1. 開關電源(SMPS):包括AC-DC適配�、充電器等�
2. 電機�(qū)動:如直流無刷電�(BLDC)控制電路�
3. 逆變器:用于太陽能逆變器和其他能量�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
4. 負載切換:保護電路免受過流或短路影響�
5. PFC電路:功率因�(shù)校正以提高用電效率�
6. 工業(yè)自動化設備中的各類功率管理模��
IRF640N
STP12NM60
FDP17N60