TQP3M9009 是一款由 TriQuint Semiconductor(現(xiàn) Qorvo)生�(chǎn)的高性能 GaAs MMIC 低噪聲放大器 (LNA)。該器件采用先�(jìn)� GaAs pHEMT 工藝制�,適用于�(wú)線基�(chǔ)�(shè)施、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電和測(cè)試設(shè)備等高頻�(yīng)�。其卓越的增益性能和低噪聲特性使其成為需要高靈敏度接收器�(yīng)用的理想選擇�
該芯片在�(shè)�(jì)上支持寬帶寬操作,并能夠在較寬的工作頻率范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能。此�,它還具有出色的線性度和較低的功�,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了整體效率�
型號(hào):TQP3M9009
類型:GaAs MMIC 低噪聲放大器 (LNA)
工作頻率范圍�4 � 10 GHz
增益�16 dB 典型�
噪聲系數(shù)�1.5 dB 典型�
輸入回波損耗:12 dB 典型�
輸出回波損耗:12 dB 典型�
電源電壓�+3.5 V 典型�
工作電流�40 mA 典型�
封裝形式:芯片級(jí)封裝或裸�
TQP3M9009 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高增益:在指定頻段內(nèi)提供高達(dá) 16 dB 的典型增�,保證信�(hào)�(qiáng)度提��
2. 低噪聲系�(shù):典型值為 1.5 dB,確保接收鏈路中最小的信號(hào)損失和失��
3. 寬帶操作:支持從 4 GHz � 10 GHz 的寬頻率范圍,適�(yīng)多種高頻�(yīng)用需��
4. �(wěn)定的電氣性能:在溫度和工藝變化下仍能保持一致的性能表現(xiàn)�
5. 小尺寸和高集成度:芯片級(jí)封裝適合空間受限的設(shè)�(jì)�(chǎng)��
6. 易于使用:僅需少量外部元件即可完成偏置配置和匹配網(wǎng)�(luò)�(shè)�(jì),降低了�(fù)雜度�
TQP3M9009 廣泛�(yīng)用于高頻通信�(lǐng)域,包括但不限于�
1. �(wú)線基�(chǔ)�(shè)施:用于基站接收前端,提高信�(hào)�(zhì)量�
2. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電:在微波鏈路中實(shí)�(xiàn)�(zhǎng)距離高質(zhì)量數(shù)�(jù)傳輸�
3. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:為頻譜分析儀和其他測(cè)試儀器提供穩(wěn)定可靠的信號(hào)放大�
4. 軍事通信:支持雷�(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信中的信號(hào)處理需求�
5. 航空航天:應(yīng)用于�(dǎo)航和遙感系統(tǒng)中以增強(qiáng)弱信�(hào)捕捉能力�
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