TPT7741F-SO3R 是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用小型SO-3封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能,適合用于各種高效能開關(guān)電路和電源管理應(yīng)用。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了開關(guān)速度與功率損耗之間的平衡,能夠有效減少能量損失并提升系統(tǒng)效率。
TPT7741F-SO3R 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中被廣泛使用,特別是在需要高頻率和低功耗的場(chǎng)景下表現(xiàn)尤為突出。
型號(hào):TPT7741F-SO3R
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:SO-3
Vds(漏源極電壓):40V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):1.5Ω(典型值,在Vgs=10V時(shí))
Ids(連續(xù)漏極電流):2A
Vgs(柵源極電壓):±20V
f(工作頻率):支持高頻操作
功耗:根據(jù)負(fù)載條件動(dòng)態(tài)調(diào)整
工作溫度范圍:-55°C至+150°C
TPT7741F-SO3R 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保在大電流條件下保持較低的功率損耗。
2. 快速開關(guān)能力使得該器件非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高耐壓性能(Vds = 40V)可以適應(yīng)多種電壓等級(jí)的電路需求。
4. 小型化SO-3封裝節(jié)省PCB空間,有助于緊湊型設(shè)計(jì)。
5. 寬工作溫度范圍使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 靜電防護(hù)能力強(qiáng),提高了產(chǎn)品的可靠性和抗干擾能力。
這些特性使得TPT7741F-SO3R 成為許多高效能電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和信號(hào)切換電路的理想選擇。
TPT7741F-SO3R 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的初級(jí)或次級(jí)側(cè)開關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓電路。
3. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如智能手機(jī)、平板電腦等的小型電源模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與傳輸電路。
6. 通信設(shè)備中的負(fù)載切換和短路保護(hù)。
7. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)元件。
由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝形式,TPT7741F-SO3R 能夠滿足從低功耗便攜式設(shè)備到高性能工業(yè)系統(tǒng)的多樣化需求。
TPT7742F-SO3R, TPT7740F-SO3R