TPS51216RUKR以最低的總成本和最小的空間為DDR2、DDR3和DDR3L內存系統(tǒng)提供完整的電�。它集成了一個同步降壓穩(wěn)壓器控制�(VDDQ)、一�2A�/源跟蹤LDO(VTT)和緩沖低噪聲基準(VTTREF)。TPS51216RUKR采用D-CAP?模式以及300kHz/400kHz頻率,以實現(xiàn)易用性和快速瞬�(tài)響應。VTTREF以出色的0.8%精度跟蹤VDDQ/2。VTT提供2A灌入/拉出峰值電流能力,只需�10μF的陶瓷電�。此�,還提供專用LDO電源輸入。TPS51216RUKR提供豐富的實用功能以及出色的電源性能。它支持靈活的電源狀�(tài)控制,在S3中將VTT置于高阻�(tài),在S4/S5狀�(tài)下對VDDQ、VTT和VTTREF(軟關�)進行放電。還提供具有低側MOSFETRDS(on)感應、OVP/UVP/UVLO和熱關斷保護的可編程OCL�
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編� | TPS51216RUKR |
描述 | IC REG CTRLR DDR 2OUT 20WQFN |
詳細描述 | series控制器,DDR�(wěn)壓器IC2輸出20-WQFN(3x3) |
類別 | 集成電路(IC)PMIC-�(wěn)壓器-特殊用� |
系列 | D-CAP |
工作溫度 | -40°C~85°C |
安裝類型 | 表面貼裝� |
封裝/外殼 | 20-WFQFN裸露焊盤 |
供應商器件封� | 20-WQFN(3x3) |
基本�(chǎn)品編� | TPS51216 |
TPS51216RUKR
零件狀�(tài) | 在售 |
應用 | 控制�,DDR |
電壓-輸入 | 4.5V~5.5V |
輸出�(shù) | 2 |
電壓-輸出 | 0.7V~1.8V |
引腳�(shù) | 20 |
最大輸入電� | 28V |
最高工作溫� | 85°C |
最大輸出電� | 20� |
最大輸出電� | 1.8V |
最小輸入電� | 3� |
最低工作溫� | -40°C |
最小輸出電� | 700毫伏 |
工作電源電流 | 600μA |
工作電源電壓 | 5.5V |
輸出電壓 | 1.8V |
包裝 | 卷帶�(TR) |
靜態(tài)電流 | 600μA |
開關頻率 | 400kHz |
高度 | 0� |
長度 | 3毫米 |
厚度 | 750微米 |
寬度 | 3毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� |
濕氣敏感性等�(MSL) | 2(1�) |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
無鉛 | 無鉛 |
輻射硬化 | � |
同步降壓控制�(VDDQ)
轉換電壓范圍�3V�28V
輸出電壓范圍�0.7V�1.8V
0.8%VREF精度
用于快速瞬�(tài)響應的D-CAP?模式
可選300kHz/400kHz開關頻率
通過自動跳躍功能�(yōu)化輕載和重載時的效率
支持S4/S5狀�(tài)下的軟關�
OCL/OVP/UVP/UVLO保護
電源良好輸出
2ALDO(VTT),緩沖基�(VTTREF)
2A(峰�)灌電流和拉電�
僅需10μF的陶瓷輸出電�
緩沖、低噪聲�10mAVTTREF輸出
0.8%VTTREF�20mVVTT精度
支持S3中的高阻和S4/S5中的軟關�
熱關�
20引腳�3mm×3mm、QFN封裝
DDR2/DDR3/DDR3L內存電源
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL終止
TPS51216RUKR符號
TPS51216RUKR腳印
TPS51216RUKR封裝
型號 | 制造商 | 品名 | 描述 |
TPS51216RUKT | 德州儀� | �(wěn)壓芯� | 芯片,降壓控制�,DDR2/3/3L,2ALDO,20QFN |