TPS1120DR集成了兩個獨立的p溝道增強型MOSFET,這些MOSFET通過德州儀器LinBiCMOSTM工藝進行了優(yōu)�,用于電池供電系�(tǒng)中的3V�5V配電。最大VGS(th)�-1.5V和IDSSTPS1120的電流僅�0.5uA,是低壓便攜式電池管理系�(tǒng)的理想高邊開�(guān),其中最大限度地延長電池壽命是首要考慮因素。由于便攜式�(shè)備可能會受到靜電放電(ESD)的影�,因此MOSFET具有用于2kVESD保護的內(nèi)置電路。TPS1120DR的終端設(shè)備包括筆記本電腦、個人�(shù)字助�(PDA)、移動電�、條形碼掃描儀和PCMCIA卡。對于現(xiàn)有設(shè)�,此器件具有與小外形集成電路SOIC封裝中的其他p溝道MOSFET共用的引腳排�。TPS1120DR的特點是工作�(jié)溫范圍TJ�-40°C�150°C�
制造商 | 德州儀� |
制造商�(chǎn)品編� | TPS1120DR |
供應(yīng)� | 德州儀� |
描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
詳細(xì)描述 | MOSFET - 陣列 2 � P 溝道(�) 15V 1.17A 840mW 表面貼裝� 8-SOIC |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
工作溫度 | -40°C~150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝� |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154"�3.90mm�) |
供應(yīng)商器件封� | 8-SOIC |
基本�(chǎn)品編� | TPS1120 |
TPS1120DR
零件狀�(tài) | 在售 |
FET類型 | 2個P溝道(�) |
FET功能 | 邏輯電平門 |
漏源電壓(Vdss) | 15V |
25°C時電�-連續(xù)漏極(Id) | 1.17A |
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電�(最大�) | 180毫歐@1.5A�10V |
不同Id時Vgs(th)(最大�) | 5.45nC@10V |
5.45nC@10V | 840mW |
�/� | 集成電路 |
引腳�(shù) | 8 |
連續(xù)漏極電流(ID) | 1.17� |
目前評級 | -1.17� |
漏源擊穿電壓 | 15� |
秋季時間 | 秋季時間 |
柵源電壓(Vgs) | 2� |
最高工作溫� | 125� |
最大功� | 840兆瓦 |
最低工作溫� | -40� |
元素�(shù) | 2 |
打包 | Digi-Reel? |
功� | 840兆瓦 |
最大Rds | 180毫歐 |
上升時間 | 10納秒 |
�(guān)斷延遲時� | 13納秒 |
開啟延遲時間 | 4.5納秒 |
額定電壓(直流) | -15� |
高度 | 1.75毫米 |
長度 | 4.9毫米 |
厚度 | 1.58毫米 |
寬度 | 3.91毫米 |
屬� | 描述 |
RoHS狀�(tài) | 符合ROHS3�(guī)� |
濕氣敏感性等�(MSL) | 1(無限) |
REACH狀�(tài) | 非REACH�(chǎn)� |
無鉛 | 無鉛 |
輻射硬化 | � |
低rDS(on)0.18在VGS=-10V
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容輸入
VGS(th)=-1.5V最大�
ESD保護高達2kV,符合MIL-STD-883C,方�3015
TPS1120DR符號
TPS1120DR焊墊
TPS1120DR 3D模型
TPS1120DR封裝
型號 | 制造商 | 品名 | 描述 |
TPS1120D | 德州儀� | MOS� | 雙P溝道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V |
TPS1120DG4 | 德州儀� | MOS� | SOIC,P-Channel-15V�1.17A�180mohms |
TPS1120DRG4 | 德州儀� | MOS� | SOIC,P-Channel15V�1.17A |