TPHR6503PL,L1Q(M) 是一� N 溝道邏輯電平增強型場效應晶體� (MOSFET),廣泛用于需要高效開關和低導通電阻的應用�。該器件采用小尺寸封裝,適合空間受限的設計場�,同時具備出色的電氣性能和可靠性�
型號:TPHR6503PL
封裝:L1Q(M)
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導通電阻)�3.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):84A
Vgs(柵源極電壓):±20V
Qg(總柵極電荷):47nC
EAS(雪崩能量)�240mJ
f(工作頻率范圍):高�1MHz
工作溫度范圍�-55℃至+175�
TPHR6503PL,L1Q(M) 具有非常低的導通電� Rds(on),這使得它非常適合要求高效率和低功耗的應用場景。此�,該 MOSFET 支持較高的漏源極電壓和大電流處理能力,確保在高壓和大電流條件下依然保持穩(wěn)定運行�
其封裝形� L1Q(M) 提供了優(yōu)良的熱性能和電氣連接,有助于降低寄生電感和提高整體系�(tǒng)的可靠性�
該器件還具有快速開關速度和較低的柵極電荷,可減少開關損耗并�(yōu)化高頻應用中的表�(xiàn)�
另外,該 MOSFET 的工作溫度范圍較�,能夠在極端�(huán)境下可靠運行,適用于工業(yè)、汽車及消費電子領域�
TPHR6503PL,L1Q(M) 常用于以下應用:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開關或同步整流器�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電保護開關�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和功率�(diào)節(jié)�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高邊/低邊開關�
6. LED �(qū)動器和逆變器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
TPH2R602PL,M1Q(T)