TPDV1240RG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高頻和高功率應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN-on-Silicon 工藝制�,具有出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�。TPDV1240RG 通常用于射頻功率放大器、D類音頻放大器以及高速開�(guān)電路�,能夠提供高效的功率�(zhuǎn)換和�(yōu)異的熱管理能��
其封裝形式為符合行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使用。此�,TPDV1240RG 的高擊穿電壓和低寄生電容使其非常適合要求苛刻的無線通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及其他高頻�(yīng)用�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�40A
峰值脈沖電流:80A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1200pF
輸出電容�35pF
反向恢復(fù)時間�25ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 基于先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),確保卓越的開關(guān)性能和高效率�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可顯著減少傳導(dǎo)損��
3. 高擊穿電壓支持高壓操作環(huán)�,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒性�
4. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷適合高頻�(yīng)��
5. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì)允許更高的功率密�,并且能夠承受極端溫度條��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
1. 射頻功率放大�
2. D類音頻放大器
3. 電信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率變換模�
4. 雷達(dá)和衛(wèi)星通信系統(tǒng)
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
6. 激光驅(qū)動器和其他高速開�(guān)電路