TN0200K-T1是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬于增強型高電子遷移率晶體管(HEMT�。它具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,適用于高頻、高效的�(yīng)用場景�
該器件采用了先�(jìn)的封裝工�,具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�。其耐壓能力高達(dá)650V,適合于各種開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)��
額定電壓�650V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�1800pF
反向恢復(fù)時間:無
工作溫度范圍�-55℃至+150�
TN0200K-T1具有以下顯著特點�
1. 高效的開�(guān)性能,能夠有效降低開�(guān)損耗,提高整體效率�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 支持高頻操作,可滿足多種�(fù)雜的電力電子�(shè)計需��
4. 強大的散熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
5. 小巧的封裝尺寸,便于在空間受限的�(yīng)用中使用�
6. 高可靠性和長壽�,能夠適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
TN0200K-T1廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 太陽能逆變�
4. 電動汽車充電�(shè)�
5. 工業(yè)電機�(qū)�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
TNG020P065B,
GXT200N65S,
EPC2015