TMM2015BP-90 是一種基于砷化鎵(GaAs)工藝的射頻放大器芯�,主要用于射頻和微波信號的功率放�。該芯片在無線通信、雷�(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信以及其他高頻�(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了高頻率范圍內(nèi)的增益和線性度,同�(shí)具有良好的穩(wěn)定��
型號:TMM2015BP-90
工藝:GaAs FET
工作頻率范圍:DC � 6 GHz
增益�15 dB(典型值)
輸出功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):+20 dBm(典型值)
噪聲系數(shù)�4.5 dB(典型值)
輸入匹配�20 +/_ 3 Ohms
輸出匹配�20 +/_ 3 Ohms
電源電壓�+9 V
靜態(tài)電流�75 mA
封裝形式:SMD
TMM2015BP-90 芯片采用了先�(jìn)的砷化鎵場效�(yīng)晶體管技�(shù),能夠在較寬的頻率范圍內(nèi)提供�(wěn)定的增益和輸出功��
其高線性度使其非常適合于需要低失真的通信系統(tǒng)�
芯片�(nèi)部集成了偏置電路,簡化了外部電路�(shè)�(jì),并且提高了系統(tǒng)的可靠性�
此外,它具備出色的溫度穩(wěn)定性和抗反向電壓能力,適用于惡劣環(huán)境下的工作需��
TMM2015BP-90 還支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,從而簡化了生產(chǎn)制造流程并降低了成本�
TMM2015BP-90 廣泛�(yīng)用于射頻和微波領(lǐng)域的多種場景,包括但不限于:
1. 無線通信基站中的射頻功率放大
2. 雷達(dá)系統(tǒng)中的�(fā)射機(jī)模塊
3. �(wèi)星通信�(shè)備中的上行鏈路放�
4. 測試與測量儀器中的信號增�(qiáng)
5. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)療(ISM)頻段設(shè)備的功率放大
由于其寬頻帶特性和高性能指標(biāo),該芯片能夠滿足各種�(fù)雜應(yīng)用場景的需求�
TMM2015BP-85
TMM2015BP-95