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TMC3KJ-B1K-TR/V 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 21:12:13 查看 閱讀:16

TMC3KJ-B1K-TR/V 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和性能。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,適合在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下使用。其封裝形式為 TO-252 (DPAK),有助于簡化設(shè)計并提高散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷:55nC
  開關(guān)速度:超快
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
  2. 高速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫條件下長時間運行。
  4. 小巧的封裝設(shè)計,便于 PCB 布局和安裝。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛材料。
  6. 內(nèi)置保護機制,包括過流保護和短路保護,增強系統(tǒng)安全性。

應(yīng)用

廣泛用于開關(guān)模式電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動電路、電池管理系統(tǒng)(BMS)、太陽能逆變器以及各類工業(yè)控制設(shè)備中。
  特別適用于需要高效率和高可靠性的功率轉(zhuǎn)換場景。

替代型號

TMC3KJ-A1K-TR/V, TMC3KJ-C1K-TR/V

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