TLGD190P是一種高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提升了整體效率并降低了能耗�
此功率MOSFET屬于N溝道類型,適用于高電流和高電壓的�(yīng)用環(huán)境。其封裝形式通常為TO-220,能夠提供良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�90A
�(dǎo)通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)�(shí)間:開啟延遲�(shí)�30ns,關(guān)斷傳播時(shí)�15ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
TLGD190P具備低導(dǎo)通電�,可以顯著降低導(dǎo)通損�,非常適合于需要高效能�(zhuǎn)換的電路�(shè)�(jì)�
它還擁有快速的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,并且支持高頻操�,使得相�(guān)�(yīng)用可以采用更小尺寸的磁性元��
此外,該器件具有�(qiáng)大的抗雪崩能力,能夠在異常工作條件下保護(hù)自身免受損壞�
由于其優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性,TLGD190P在工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域中也有廣泛�(yīng)��
開關(guān)電源中的主開�(guān)�
DC-DC�(zhuǎn)換器
電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
�(fù)載開�(guān)
電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)
逆變器電�