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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TK56A12N1

TK56A12N1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:07:12 查看 閱讀�18

TK56A12N1是一種高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率控制應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域�

參數(shù)

型號(hào):TK56A12N1
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝形式:TO-220
  最大漏源電壓:600V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:12A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  總功耗:140W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65℃至+150�

特�

TK56A12N1具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá)600V的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,其�(dǎo)通電阻僅�0.18Ω,可顯著降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)確保了更快的開啟和關(guān)閉時(shí)間,從而減少開�(guān)損��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)惡劣的工作條件�
  5. 抗靜電能力強(qiáng):內(nèi)置保�(hù)電路提高了器件的可靠�,減少了因靜電放電導(dǎo)致的損壞�(fēng)�(xiǎn)�
  6. 封裝�(jiān)固:采用TO-220封裝,便于散熱和安裝,同�(shí)提供良好的機(jī)械強(qiáng)��

�(yīng)�

TK56A12N1廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)元件,用于高效能量轉(zhuǎn)換�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流或�(wú)刷直流電�(jī)的速度和方��
  3. 逆變器:在太�(yáng)能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換系�(tǒng)中充�(dāng)功率開關(guān)�
  4. �(fù)載開�(guān):用于各種負(fù)載的精確控制�
  5. �(guò)流保�(hù)電路:利用其快速響�(yīng)能力檢測(cè)并限制過(guò)流情��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如PLC控制器中的功率級(jí)元件�
  7. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如家用電器中的功率管理單��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP15N60
  STP12NK60Z

tk56a12n1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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