TK100S04N1L 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�。其封裝形式通常� TO-252(DPAK�,適用于各種電源管理和電�(jī)�(qū)動應(yīng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�28nC(典型值)
開關(guān)時間:開啟時� 9ns,關(guān)斷時� 17ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功耗并提高效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
3. 高雪崩擊穿能量能�,提升了器件的可靠性�
4. 具備短路保護(hù)功能,可增強系統(tǒng)�(wěn)定��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)需求�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及同步整流電��
3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
IRFZ44N, FDP16N40L, STP100N04L