TIBPAL20R8-20M 是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)� MOSFET 芯片,專為高效率和高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)。這款芯片具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和出色的熱性能,適用于高頻開關(guān)電源、電�(dòng)汽車�(qū)�(dòng)系統(tǒng)以及工業(yè)電機(jī)控制等場(chǎng)��
該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低寄生電感并提高整體系統(tǒng)效率。其高耐壓能力使其非常適合高壓直流電路中的功率�(zhuǎn)換需��
額定電壓�1200V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:20mΩ
最大工作結(jié)溫:175�
柵極閾值電壓:3.5V
輸入電容�100pF
反向恢復(fù)�(shí)間:50ns
TIBPAL20R8-20M 具備卓越的電氣和熱性能,以下為其主要特性:
1. 采用碳化硅材�,具有比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的擊穿場(chǎng)�(qiáng)和更低的�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)速度使得其能夠在高頻條件下運(yùn)�,從而減少磁性元件體積并提升功率密度�
3. 極低的反向恢�(fù)電荷有效減少了開�(guān)過程中的能量損失�
4. 高耐熱能力和寬溫度范圍支持使其在極端環(huán)境下的可靠性大幅提��
5. 封裝形式緊湊,便于集成到各類功率模塊��
TIBPAL20R8-20M 的高性能特點(diǎn)使其廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源(如服務(wù)器電源、通信電源��
2. 新能源汽車中的主�(qū)逆變器及車載充電�(jī)�
3. 太陽能光伏逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的變頻器和伺服驅(qū)�(dòng)��
5. 快充適配器和其他便攜式電子設(shè)備的高效功率�(zhuǎn)換方��
TIBPAL20R8-16M, TIBPAL20R8-25M