TIBPAL16R6-12M 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,適用于高頻和高效率開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝設(shè)計,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,非常適合用于電源轉(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備中的射頻功率放大器等場��
其核心技�(shù)是通過�(yōu)化柵極驅(qū)動結(jié)�(gòu)和增強散熱能力來實現(xiàn)更高的功率密度和更優(yōu)的熱性能�
型號:TIBPAL16R6-12M
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�600V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:16mΩ
開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
封裝形式:TO-247-4L
工作溫度范圍�-55� � +175�
TIBPAL16R6-12M 的主要特點包括:
1. 高效的氮化鎵技�(shù)提供更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損��
2. 極低的寄生電感設(shè)�,能夠有效減少高頻下的振蕩現(xiàn)��
3. �(nèi)置柵極驅(qū)動保�(hù)功能,提高了系統(tǒng)可靠��
4. 快速的開關(guān)速度顯著降低死區(qū)時間,從而提升整體效��
5. �(yōu)異的熱性能確保在高溫環(huán)境下仍能�(wěn)定運��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
TIBPAL16R6-12M 的這些特性使其成為下一代高效電源管理的理想選擇�
TIBPAL16R6-12M 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源供�(yīng)單元(PSU��
2. 工業(yè)自動化設(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電動汽車(EV)充電站的功率模��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
5. 通信基站中的射頻功率放大��
6. 高頻軟開�(guān)�?fù)�?LLC 和相移全橋(PSFB)電��
由于其卓越的性能表現(xiàn),該芯片能夠在眾多高要求場景中發(fā)揮關(guān)鍵作用�
TIBPAL18R6-12M
TIBPAL20R6-12M
TIBPAL16R6-15M