THGBMJG6C1LBAIL 是一款由東芝(Toshiba)制造的 NAND 閃存芯片,采� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù)。該芯片主要用于存儲(chǔ)�(shè)備中,例如固�(tài)硬盤(pán)(SSD�、嵌入式存儲(chǔ)和記憶卡等。其�(shè)�(jì)注重高密度存�(chǔ)和低功�,適合消�(fèi)�(jí)及工�(yè)�(jí)�(yīng)用�
該芯片具備高速讀�(xiě)性能,并且通過(guò)先�(jìn)的制程工藝優(yōu)化了成本與性能之間的平�。它支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)�(zhǔn),便于與主機(jī)系統(tǒng)�(jìn)行高效通信�
容量�512GB
接口�(lèi)型:ONFI 4.0
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)位寬�8-bit
封裝形式:BGA
I/O接口速度�400 MT/s
擦寫(xiě)壽命:約 1000 � (基于 TLC 技�(shù))
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝尺寸�16mm x 24mm x 1.2mm
THGBMJG6C1LBAIL 芯片采用 TLC 存儲(chǔ)單元�(jié)�(gòu),每�(gè)單元可存�(chǔ) 3 位數(shù)�(jù),從而實(shí)�(xiàn)更高的存�(chǔ)密度。相� MLC(Multi-Level Cell),TLC 提供更大的存�(chǔ)容量,但其擦�(xiě)壽命較低,適用于�(duì)�(xiě)入頻率要求不高的�(chǎng)��
此外,該芯片�(nèi)� ECC(Error Correction Code)引擎以增強(qiáng)�(shù)�(jù)可靠�,并支持磨損均衡算法以延�(zhǎng)使用壽命�
此芯片具有低功耗特�,在待機(jī)模式下的電流消耗極�,非常適合電池供電設(shè)備或需要節(jié)能的�(yīng)用環(huán)境�
其支持的 ONFI 4.0 接口�(guī)范確保了快速啟�(dòng)、穩(wěn)定運(yùn)行以及與其他 NAND �(shè)備的良好兼容性�
另外,該芯片還提供了�(qiáng)大的�(shù)�(jù)保護(hù)�(jī)制,包括壞塊管理功能和斷電保�(hù)措施,以確保�(shù)�(jù)完整性不受外部干擾影��
THGBMJG6C1LBAIL 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(pán)(SSD�
2. 嵌入式存�(chǔ)解決方案(如 eMMC � UFS�
3. 記憶卡(SD �、microSD 卡等�
4. 工業(yè)�(jì)算機(jī)和服�(wù)器存�(chǔ)
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備中的本�?cái)?shù)�(jù)存儲(chǔ)
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�,例如智能手�(jī)、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)中的大容量存�(chǔ)模塊
由于其高容量和低功耗特�(diǎn),這款芯片特別適合需要長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行并同時(shí)保持較小物理體積的設(shè)�(jì)方案�
THGBMFG9C2HALBAIJ
THGBMG9D2EBLLBAI
THGBMJG9K2HBAIL