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THGAF9G8L2LBAB7 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 11:28:43 查看 閱讀：17

THGAF9G8L2LBAB7 是一款高性能的 NAND Flash 存儲(chǔ)芯片，采用先進(jìn)的制程工藝制造，具有高密度、高速度和低功耗的特點(diǎn)。該芯片適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景，例如固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子設(shè)備。
　　這款 NAND Flash 芯片支持多種接口協(xié)議，能夠滿足不同應(yīng)用環(huán)境下的數(shù)據(jù)傳輸需求。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，確保了可靠性和耐用性，同時(shí)具備強(qiáng)大的糾錯(cuò)能力以提升數(shù)據(jù)完整性。

參數(shù)

容量：512GB
　　接口類型：ONFI 4.0
　　工作電壓：1.8V / 3.3V
　　頁(yè)大�。�16KB
　　塊大小：1MB
　　最大讀取速度：400 MB/s
　　最大寫入速度：250 MB/s
　　擦除周期：3000 次
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

THGAF9G8L2LBAB7 的主要特性包括高存儲(chǔ)密度、快速的數(shù)據(jù)訪問速度和較低的功耗。它使用了多層單元（MLC）技術(shù)來提高存儲(chǔ)效率，并且通過內(nèi)置的 ECC（錯(cuò)誤檢查與糾正）引擎增強(qiáng)了數(shù)據(jù)可靠性。
　　此外，該芯片還支持后臺(tái)操作功能，允許主機(jī)在執(zhí)行其他任務(wù)時(shí)進(jìn)行垃圾回收或磨損平衡處理，從而進(jìn)一步提高了系統(tǒng)的整體性能和使用壽命。
　　為了適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，THGAF9G8L2LBAB7 提供了靈活的配置選項(xiàng)，用戶可以根據(jù)具體需求調(diào)整芯片的工作模式及參數(shù)設(shè)置。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域，如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的 USB 閃存盤、記憶卡；工業(yè)控制領(lǐng)域的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備；以及汽車電子系統(tǒng)中的導(dǎo)航裝置等。
　　由于其出色的性能表現(xiàn)和穩(wěn)定性，THGAF9G8L2LBAB7 也成為了許多高端 SSD 制造商的選擇之一，在企業(yè)級(jí)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心中也有廣泛應(yīng)用。

替代型號(hào)

THGAF9G8L2LBAC7
　　THGAF9G8L2LBAB7

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