TG.30.8113是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等需要高效功率轉換的場景。該芯片采用先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠在高頻率下實現(xiàn)高效的功率傳輸�
型號:TG.30.8113
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�30A
導通電阻Rds(on)�4mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�150W
結溫范圍Tj�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
TG.30.8113具有低導通電阻和高電流承載能力,這使得它在功率應用中能夠減少功率損耗并提高效率�
其快速開關特性使其非常適合高頻開關應用,例如開關電源和DC-DC轉換��
該芯片還具備良好的熱�(wěn)定�,在較寬的溫度范圍內保持�(wěn)定的性能�
同時,它具有較高的抗靜電能力和可靠�,適合在惡劣�(huán)境下工作�
TG.30.8113主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動
4. 工業(yè)自動化設�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 照明驅動電路
由于其高效能和高可靠�,該芯片成為這些應用的理想選��
IRF540N
STP30NF10L
FDP30N10S