TFS060N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT),專為高頻、高效率�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用小型化的SMD封裝形式,適用于高頻功率�(zhuǎn)換和射頻�(yīng)用領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能的特�(diǎn)�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:160mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
輸入電容�930pF
反向恢復(fù)�(shí)間:�
工作溫度范圍�-55℃~175�
TFS060N02M使用了先�(jìn)的GaN技�(shù),提供卓越的開關(guān)性能和較低的�(dǎo)通損�。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,它的開�(guān)速度更快,寄生電感更�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率和功率密��
GaN材料具備更高的電子遷移率和擊穿場(chǎng)�(qiáng),因此在高頻和高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,其緊湊的尺寸有助于減少PCB空間占用,并支持更小的整體設(shè)�(jì)�
該器件還具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能輸出。這些特點(diǎn)使其非常適合于DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)�、激光雷�(dá)�(qū)�(dòng)以及各類高效電源管理方案��
TFS060N02M廣泛�(yīng)用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路、無線充電發(fā)射端、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�、車載充電器(OBC�、服�(wù)器電源模塊以及工�(yè)�(jí)開關(guān)電源等場(chǎng)��
同時(shí),它也適用于需要高效率和高頻率操作的射頻放大器和脈沖生成電路。由于其出色的耐壓能力,這款GaN晶體管同樣適合用在新能源汽車的電力電子系�(tǒng)��
TGF2006HE, EPC2018