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TFD085N03M 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 2:16:41 查看 閱讀:3

TFD085N03M是一款基于溝槽型MOSFET技術(shù)的N通道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,非常適合用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。其封裝形式為TO-263(DPAK),能夠提供出色的散熱性能和電氣特性。
  這款MOSFET的工作電壓范圍較寬,額定漏源極電壓為30V,使其能夠在多種中低壓應(yīng)用場(chǎng)景下穩(wěn)定工作。同時(shí),它還具備較低的柵極電荷和輸出電容,有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

型號(hào):TFD085N03M
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):85A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.7mΩ(典型值,Vgs=10V)
  總柵極電荷(Qg):47nC
  輸入電容(Ciss):1900pF
  輸出電容(Coss):27pF
  反向傳輸電容(Crss):12pF
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+175℃

特性

TFD085N03M的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)性能。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,確保了在大電流條件下的高效運(yùn)行。
  1. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為1.7mΩ,可以顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流能力:支持高達(dá)85A的連續(xù)漏極電流,滿足高功率應(yīng)用需求。
  3. 快速開關(guān)特性:低柵極電荷和輸出電容使得開關(guān)速度快,適合高頻操作。
  4. 耐熱增強(qiáng)型封裝:TO-263封裝提供了良好的散熱性能,可有效延長(zhǎng)器件壽命。
  5. 寬工作溫度范圍:從-55℃到+175℃的結(jié)溫范圍使其適用于各種惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

TFD085N03M適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  4. 負(fù)載開關(guān)
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  7. 汽車電子中的電源管理模塊
  由于其高電流承載能力和快速開關(guān)性能,這款MOSFET特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和精確控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP85NF06L
  FDP160N10SBD

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