TF200P02L是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效能功率�(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場�。TF200P02L采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而有效降低了功率損耗并提高了系�(tǒng)的整體效率�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�4.1A
�(dǎo)通電阻:0.2Ω
柵極電荷�35nC
總電容:720pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),可顯著降低傳導(dǎo)損耗�
2. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用��
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于惡劣�(huán)��
5. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
1. 開關(guān)電源中的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管��
5. LED�(qū)�(dòng)器和其他高效能應(yīng)��
IRFZ44N
STP16NF50
FQP18N20