TF100N03A是一款N溝道增強型MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管)。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于各種功率�(zhuǎn)換和電機�(qū)動應�。其�(shè)計優(yōu)化了效率和熱性能,適用于高頻率工作環(huán)��
該MOSFET采用TO-252小型表面貼裝封裝形式,能夠滿足緊湊型�(shè)計需�。其額定電壓�30V,最大持�(xù)漏極電流可達100A(在特定條件下),并具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于降低開關(guān)損耗�
最大漏源電壓:30V
最大漏極電流:100A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�1.6mΩ
總柵極電荷:24nC
開關(guān)時間:典型開啟時間為9ns,典型關(guān)閉時間為18ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
TF100N03A具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應用中減少功��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操�,從而提高系�(tǒng)效率�
3. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的魯棒性�
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品生�(chǎn)要求�
5. 提供卓越的熱性能,支持長時間�(wěn)定運��
6. 小型表面貼裝封裝,易于集成到PCB�(shè)計中�
該MOSFET廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電機控��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和繼電器替代�
5. 電池保護和管理電��
6. 各種功率管理模塊和逆變器應��
IRFZ44N, FDP158N, STP100N3LLH5