TF080N10NG 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用中。該器件采用 TO-252 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合于需要高頻開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�
這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)使得它能夠在較高的工作頻率下保持良好的性能,同�(shí)它的高雪崩擊穿能力和較低的反向恢�(fù)電荷也使其非常適合在�(yán)苛環(huán)境下使用�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
最大連續(xù)漏電流:8A
最大脈沖漏電流�32A
90mΩ
柵極電荷(典型值)�10nC
輸入電容(典型值)�470pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=16ns, toff=25ns
TF080N10NG 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�
3. 較高的雪崩擊穿能�,能夠承受過(guò)載或短路條件下的能量沖擊�
4. 小巧� TO-252 封裝形式,便于安裝和散熱管理�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. �(wěn)定的工作性能,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行下的可靠��
7. 在寬溫度范圍�(nèi)表現(xiàn)出色,適合工�(yè)�(jí)及消�(fèi)類電子設(shè)備使用�
TF080N10NG 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)元件�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)中的恒流控制元件�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸開(kāi)�(guān)�
其高效的�(kāi)�(guān)特性和低功耗表�(xiàn)使其成為許多高密�、高性能�(shè)�(jì)的理想選擇�
IRF840, K1008N3, FDN337N