TF050N03NG是一款N溝道MOSFET功率晶體管,采用TO-263封裝形式。該器件主要應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景,具有低導通電阻和高效率的特�。其耐壓�30V,適用于低壓大電流的應用場合�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�58A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�97nC
開關速度:快�
功耗:125W
工作溫度范圍�-55℃至150�
TF050N03NG具有非常低的導通電�,能夠有效降低傳導損耗,從而提升整體系�(tǒng)的效�。此外,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常條件下提供額外保�。其�(yōu)化的柵極電荷設計也確保了更快的開關速度,減少了開關損��
由于采用了先進的制造工�,該MOSFET還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,在高溫環(huán)境下依然能保持良好的性能表現(xiàn)�
此外,TO-263封裝具有較低的熱阻,有助于提高散熱效�,適合功率密度要求較高的應用�
該芯片廣泛用于開關電�(SMPS)中的同步整流電路、DC-DC�(zhuǎn)換器的功率級控制、電池管理系�(tǒng)(BMS)中的負載開關以及各類電機�(qū)動場�。同�,它也非常適合工�(yè)自動化設備中的功率管理模塊和消費類電子產(chǎn)品的高效能轉(zhuǎn)換電��
IRFZ44N, FDP5580, STP55NF03L