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TF050N02M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 15:42:41 查看 閱讀�27

TF050N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場效應(yīng)晶體管(FET�,適用于高頻和高效率開關(guān)�(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)��
  這款芯片�(shè)�(jì)緊湊,能夠顯著提升功率密度,并降低系�(tǒng)能�。其卓越的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案�

參數(shù)

型號:TF050N02M
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體�
  耐壓�200V
  �(dǎo)通電阻:50mΩ
  柵極電荷�5nC
  漏極電流�10A
  封裝形式:TO-263
  工作溫度范圍�-40℃至+125�
  最大開�(guān)頻率�5MHz

特�

TF050N02M采用了先�(jìn)的氮化鎵材料,具備以下主要特�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓(200V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
  3. 快速的開關(guān)速度與小柵極電荷�5nC�,有助于降低開關(guān)損��
  4. 支持高達(dá)5MHz的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場景�
  5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
  6. 緊湊型封裝(TO-263�,便于安裝并節(jié)省PCB空間�
  這些特性使得TF050N02M非常適合要求高效�、小體積的現(xiàn)代電子設(shè)備�

�(yīng)�

TF050N02M因其出色的性能而被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如AC-DC適配器和USB-PD快充��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量傳輸�
  3. 電機(jī)�(qū)動電�,特別是在需要快速響�(yīng)的無刷直流電�(jī)控制��
  4. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和電池管理系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻開�(guān)模塊�
  由于其支持高頻操作和高效率的特點(diǎn),這款芯片是許多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

TGF20050L, EPC2016C

tf050n02m推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)