TF050N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場效應(yīng)晶體管(FET�,適用于高頻和高效率開關(guān)�(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓等特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)��
這款芯片�(shè)�(jì)緊湊,能夠顯著提升功率密度,并降低系�(tǒng)能�。其卓越的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的理想替代方案�
型號:TF050N02M
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體�
耐壓�200V
�(dǎo)通電阻:50mΩ
柵極電荷�5nC
漏極電流�10A
封裝形式:TO-263
工作溫度范圍�-40℃至+125�
最大開�(guān)頻率�5MHz
TF050N02M采用了先�(jìn)的氮化鎵材料,具備以下主要特�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(200V�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ�,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
3. 快速的開關(guān)速度與小柵極電荷�5nC�,有助于降低開關(guān)損��
4. 支持高達(dá)5MHz的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場景�
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
6. 緊湊型封裝(TO-263�,便于安裝并節(jié)省PCB空間�
這些特性使得TF050N02M非常適合要求高效�、小體積的現(xiàn)代電子設(shè)備�
TF050N02M因其出色的性能而被廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),如AC-DC適配器和USB-PD快充��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量傳輸�
3. 電機(jī)�(qū)動電�,特別是在需要快速響�(yīng)的無刷直流電�(jī)控制��
4. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和電池管理系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻開�(guān)模塊�
由于其支持高頻操作和高效率的特點(diǎn),這款芯片是許多高性能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
TGF20050L, EPC2016C