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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > TEPSLAOJ107M35E8RLG

TEPSLAOJ107M35E8RLG 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 20:35:54 查看 閱讀�8

TEPSLAOJ107M35E8RLG 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效能和低損耗的應用場景設計。該芯片采用先進的制造工藝,具有極低的導通電阻和快速的開關速度,能夠顯著提升電路的效率和穩(wěn)定�。其封裝形式緊湊,適合用于空間受限的設計�(huán)��
  該型號通常應用于開關電�、電機驅�、逆變器以及其他高功率密度的電子設備中。其�(yōu)異的熱性能和電氣特性使其成為許多工�(yè)和消費類電子產品中的首選功率器件�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�52A
  導通電阻:1.4mΩ
  柵極電荷�125nC
  總電容:310pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝形式:TOLL (TO-263-7)

特�

TEPSLAOJ107M35E8RLG 的主要特性包括超低的導通電�,從而減少了傳導損耗,提高了整體效�。此外,它具備快速的開關速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關損�。其卓越的熱性能允許在高功率應用場景下保持穩(wěn)定運��
  這款芯片還具有增強的抗雪崩能力和短路耐受能力,確保在異常條件下也能維持可靠�。另�,由于采用了 TOLL 封裝,芯片擁有良好的散熱性能和電氣隔離特性,同時支持自動化的表面貼裝生產工藝�

應用

TEPSLAOJ107M35E8RLG 廣泛應用于各種高功率電子系統(tǒng)�,包括但不限于:
  - 開關模式電源 (SMPS)
  - DC-DC 轉換�
  - 電機驅動控制
  - 太陽能逆變�
  - 電動工具
  - 汽車電子系統(tǒng)
  其出色的性能和可靠性使它特別適合需要高效率和高功率密度的工�(yè)及消費類應用�

替代型號

IRFB4110TRPBF, FDP5570N, SiHH090DN

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