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TDF8546J/N2 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 23:44:20 查看 閱讀：10

TDF8546J/N2 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET，廣泛應(yīng)用于需要高效率和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景。這款器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力，適用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　該芯片的特點(diǎn)是能夠以較小的封裝實(shí)現(xiàn)大功率輸出，同時(shí)保持較低的熱阻，從而提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

參數(shù)

類(lèi)型：N溝道MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：110A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　功耗(Ptot)：76W
　　結(jié)溫范圍：-55°C至175°C
　　封裝形式：TO-247

特性

TDF8546J/N2 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力 (Id)，使其能夠在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　3. 較寬的工作電壓范圍 (Vds)，適合多種電路設(shè)計(jì)需求。
　　4. 快速開(kāi)關(guān)性能，減少開(kāi)關(guān)損耗，提升動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度。
　　5. 提供出色的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，支持環(huán)保設(shè)計(jì)要求。
　　7. 小型化封裝結(jié)合高效散熱能力，簡(jiǎn)化 PCB 布局設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

TDF8546J/N2 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　3. 各類(lèi)負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
　　5. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 的電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的關(guān)鍵組件。
　　6. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)器和逆變器中的功率轉(zhuǎn)換部分。

替代型號(hào)

TDF8546, IRF840, STP110N06L

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