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TCDT1100G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 18:23:28 查看 閱讀�44

TCDT1100G 是一款基� CMOS 工藝的高速光耦合�,主要用于需要高絕緣性和低傳輸延遲的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件由一�(gè) GaAs �(fā)光二極管和一�(gè)硅光電晶體管組成,能�?qū)崿F(xiàn)信號(hào)在電氣隔離條件下的高效傳輸�
  由于其優(yōu)越的性能,TCDT1100G 廣泛�(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、通信�(shè)�、醫(yī)療電子以及其他需要高精度和高可靠性的�(lǐng)域�

參數(shù)

型號(hào):TCDT1100G
  工作電源電壓(Vcc):4.5V � 20V
  最大輸入電流(If):16mA
  集電�-�(fā)射極電壓(Vce):70V
  最大集電極電流(Ic):50mA
  傳播延遲�(shí)間(tPLH/tPHL):1μs(典型值)
  共模抑制比(CMR):25kV/μs(最小值)
  絕緣電壓�3750Vrms�1 分鐘�
  工作溫度范圍�-40°C � +100°C

特�

TCDT1100G 具有以下主要特性:
  1. 高速響�(yīng):其傳播延遲�(shí)間僅� 1 微秒,適用于�(duì)速度要求較高的應(yīng)用環(huán)��
  2. �(qiáng)大的電氣隔離能力:支持高�(dá) 3750Vrms 的絕緣電壓,確保電路間的高安全��
  3. �(wěn)定性:能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能輸出�
  4. 小封裝設(shè)�(jì):采� SO6 封裝形式,節(jié)省空�,便� PCB 布局�(shè)�(jì)�
  5. 低噪聲干擾:具有良好的共模抑制比,可有效減少外部電磁干擾的影響�

�(yīng)�

TCDT1100G 可用于多種場(chǎng)合:
  1. 工業(yè)控制:如 PLC、電�(jī)�(qū)�(dòng)等,提供安全的信�(hào)隔離�
  2. �(shù)�(jù)通信:在�(wǎng)�(luò)�(shè)備中用作信號(hào)隔離元件�
  3. �(yī)療設(shè)備:例如�(jiān)�(hù)儀、超聲波�(shè)備等,保障患者和操作者安��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:用于家用電器中的電源管理和信�(hào)傳輸�
  5. 逆變器與變頻器:在新能源�(lǐng)�,可用于太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中�

替代型號(hào)

TLP281-4, HCPL2631

tcdt1100g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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tcdt1100g參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�晶體管輸出光電耦合�
  • 配置1 Channel
  • 輸入類型DC
  • 最大集電極/�(fā)射極電壓32 V
  • 最大集電極/�(fā)射極飽和電壓0.3 V
  • 絕緣電壓5000 Vrms
  • 最大正向二極管電壓1.6 V
  • 最大集電極電流50 mA
  • 最大功率耗散250 mW
  • 最大工作溫�+ 100 C
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 封裝 / 箱體PDIP-6
  • 封裝Tube
  • 最大輸入二極管電流60 mA
  • 最大反向二極管電壓5 V
  • 輸出�(shè)�Phototransistor
  • 輸出類型DC
  • 工廠包裝�(shù)�3000