TA31103F是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET晶體�。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用�(lǐng)�,能夠提供高效率和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。TA31103F采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適用于需要高性能功率管理的場��
TA31103F的工作電壓范圍較�,可滿足多種電路設計需�,并且具備良好的耐熱性和抗浪涌能��
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓(VDS):600V
最大柵源電壓(VGS):±20V
連續(xù)漏極電流(ID):4A
導通電阻(RDS(on)):1.5Ω(在VGS=10V時)
功耗(PD):150W
�(jié)溫范圍(TJ):-55℃至+150�
TA31103F具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
2. 較低的導通電�,有助于減少功率損��
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操��
4. 強大的過流保護和抗浪涌能�,提高了系統(tǒng)的可靠��
5. 小型化封�,便于PCB布局和散熱設��
6. 工作溫度范圍�,適應各種環(huán)境條��
7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
TA31103F廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 各類電機�(qū)動電路�
4. 電池充電管理系統(tǒng)�
5. LED照明�(qū)動電��
6. 逆變器和其他高壓電子設備�
7. 汽車電子中的負載切換和保護電��
IRF840,
STP12NM60,
FQP17N60,
IXTP10N60P