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TA31103F 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 17:01:43 查看 閱讀�30

TA31103F是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET晶體�。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等應用�(lǐng)�,能夠提供高效率和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。TA31103F采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特點,適用于需要高性能功率管理的場��
  TA31103F的工作電壓范圍較�,可滿足多種電路設計需�,并且具備良好的耐熱性和抗浪涌能��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓(VDS):600V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  連續(xù)漏極電流(ID):4A
  導通電阻(RDS(on)):1.5Ω(在VGS=10V時)
  功耗(PD):150W
  �(jié)溫范圍(TJ):-55℃至+150�

特�

TA31103F具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
  2. 較低的導通電�,有助于減少功率損��
  3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操��
  4. 強大的過流保護和抗浪涌能�,提高了系統(tǒng)的可靠��
  5. 小型化封�,便于PCB布局和散熱設��
  6. 工作溫度范圍�,適應各種環(huán)境條��
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�

應用

TA31103F廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 各類電機�(qū)動電路�
  4. 電池充電管理系統(tǒng)�
  5. LED照明�(qū)動電��
  6. 逆變器和其他高壓電子設備�
  7. 汽車電子中的負載切換和保護電��

替代型號

IRF840,
  STP12NM60,
  FQP17N60,
  IXTP10N60P

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