T60N02RG 是一� N 灃道通態(tài)場效應晶體管(MOSFET�,屬� STMicroelectronics � Trench MOSFET 系列。該器件采用先進的溝槽技術制�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開關應用�
這款 MOSFET 的額定電壓為 200V,能夠滿足高壓應用的需�,并且其封裝形式� TO-220FP,便于散熱和安裝�
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏電流:60A
導通電阻(典型值)�13mΩ
柵極電荷�50nC
開關速度:快�
功耗:72W
工作溫度范圍�-55� � +150�
T60N02RG 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低傳導損耗并提高效率�
2. 快速開關能�,減少開關損�,適合高頻應用�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒性和可靠��
4. �(nèi)置保護二極管,支持續(xù)流功�,適合電機驅(qū)動和逆變器等應用�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
6. 良好的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
T60N02RG 廣泛應用于需要高效功率管理的場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 太陽能逆變�
5. 電動車輛控制�
6. 工業(yè)自動化設�
由于其高電壓和大電流承載能力,這款 MOSFET 特別適合于需要處理較高功率水平的應用場合�
T60N02SMD, IRFB4110TRPBF, FDP150N20DS