T12N10 是一� N 溝道 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),常用于開關和功率放大應用。該器件具有低導通電阻和快速開關速度,適用于需要高效能轉換的電路設計。T12N10 在各種工�(yè)和消費電子領域中被廣泛應�,例如電源管�、電機驅�、負載切換等場景�
最大漏源電壓:100V
最大漏極電流:12A
導通電阻:0.18Ω
柵極電荷�35nC
功耗:144W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
T12N10 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達 100V 的漏源電壓,適用于多種高壓應用場��
2. 低導通電阻:僅為 0.18Ω,可顯著減少導通狀�(tài)下的功率損耗�
3. 快速開關性能:其柵極電荷較低�35nC),使得開關時間更短,有助于提高效率并降低電磁干��
4. 高可靠性:經過嚴格的制造工藝控�,能夠在極端溫度范圍內穩(wěn)定運行�
5. 小型封裝選項:通常提供行業(yè)標準封裝形式,便� PCB 布局和安��
T12N10 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS):用� DC/DC 轉換器中的主開關或同步整流元��
2. 電機驅動:適用于小型直流電機或步進電機的驅動電路�
3. 電池保護:在鋰離子電池組中作為過充過放保護的開關元件�
4. 固態(tài)繼電器:替代傳統(tǒng)機械繼電器,實現(xiàn)無觸點開關功��
5. 負載切換:用于汽車電子系�(tǒng)中的負載切換控制�
IRFZ44N
STP12NF06
FQP17N10