SZMM5Z3V3T1G 是一款基于硅技術的高效�、低功� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片。該器件適用于高效率電源�(zhuǎn)換和開關應用,主要應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備領域�
這款 MOSFET 具有出色的導通電阻特�,能夠有效降低功率損耗,同時具備快速開關速度,非常適合高頻工作場�。其封裝形式為行�(yè)標準,便于設計集成和散熱管理�
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓(Vds)�30V
額定電流(Id)�62A
導通電�(Rds(on))�1.4mΩ
柵極電荷(Qg)�37nC
最大工作溫度范圍:-55� to 150�
封裝形式:TO-220
SZMM5Z3V3T1G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),確保在大電流應用中具有高效率和低發(fā)熱特��
2. 快速開關能�,支持高頻操�,減少開關損��
3. 高雪崩能量能力,增強器件在異常情況下的耐用��
4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
這些特性使得該 MOSFET 在各類電源管理系�(tǒng)中表�(xiàn)出色,特別是在需要高效能和高可靠性的場合�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中作為主功率開關元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 汽車電子中的電池保護和電源管��
SZMM5Z3V3T1G 憑借其高性能和可靠�,在上述應用場景中能夠提供卓越的效能表現(xiàn)�
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L