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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SZMM5Z3V3T1G

SZMM5Z3V3T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 14:17:44 查看 閱讀�34

SZMM5Z3V3T1G 是一款基于硅技術的高效�、低功� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片。該器件適用于高效率電源�(zhuǎn)換和開關應用,主要應用于消費電子、工�(yè)控制以及通信設備領域�
  這款 MOSFET 具有出色的導通電阻特�,能夠有效降低功率損耗,同時具備快速開關速度,非常適合高頻工作場�。其封裝形式為行�(yè)標準,便于設計集成和散熱管理�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓(Vds)�30V
  額定電流(Id)�62A
  導通電�(Rds(on))�1.4mΩ
  柵極電荷(Qg)�37nC
  最大工作溫度范圍:-55� to 150�
  封裝形式:TO-220

特�

SZMM5Z3V3T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),確保在大電流應用中具有高效率和低發(fā)熱特��
  2. 快速開關能�,支持高頻操�,減少開關損��
  3. 高雪崩能量能力,增強器件在異常情況下的耐用��
  4. 熱穩(wěn)定性強,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致性�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設��
  這些特性使得該 MOSFET 在各類電源管理系�(tǒng)中表�(xiàn)出色,特別是在需要高效能和高可靠性的場合�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源 (SMPS) 中作為主功率開關元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率開��
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 汽車電子中的電池保護和電源管��
  SZMM5Z3V3T1G 憑借其高性能和可靠�,在上述應用場景中能夠提供卓越的效能表現(xiàn)�

替代型號

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

szmm5z3v3t1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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szmm5z3v3t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭單二極管/齊納
  • 系列-
  • 電壓 - 齊納(標稱)(Vz)3.3V
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 電流 - � Vr 時反向漏�5µA @ 1V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最�200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)95 歐姆
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SC-79,SOD-523
  • 供應商設備封�SOD-523
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-65°C ~ 150°C