SUP85N10是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載開�(guān)等場�。這款器件以其低導(dǎo)通電阻和高電流能力著�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用。該芯片采用了TO-220封裝形式,能夠提供出色的散熱性能�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�85A
�(dǎo)通電阻:2.4mΩ
總功耗:160W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
SUP85N10具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在大電流�(yīng)用場景下的高效運��
2. 高擊穿電壓允許其在較高電壓條件下�(wěn)定工��
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. �(nèi)置反向二極管,有助于提高電路可靠��
5. 良好的熱�(wěn)定性使其能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠運行�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
這些特性使得SUP85N10成為高效率功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
該MOSFET主要�(yīng)用于以下幾個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動及控制�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電動車充電設(shè)備中的功率管理�
5. 各類DC/DC�(zhuǎn)換器�
SUP85N10憑借其卓越的性能,在上述�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠滿足高功率密度和高效能的需求�
IRF840, STP85N10