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SUM75N06-09L-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 9:16:23 查看 閱讀�16

SUM75N06-09L-E3是一款由Semiconductor Manufacturer生產(chǎn)的高性能MOSFET功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中。其封裝形式為SOT-23,能夠提供優(yōu)異的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì),非常適合對空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場��
  該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(shè)備領(lǐng)�,特別是在需要高效能和小體積解決方案的情況下�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�1.8A
  �(dǎo)通電阻:140mΩ
  柵極電荷�3nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝形式:SOT-23

特�

SUM75N06-09L-E3的主要特性包括低�(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件的快速開�(guān)速度使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器。其小型化的SOT-23封裝不僅節(jié)省了PCB空間,還提供了良好的熱穩(wěn)定�。另�,由于其具備寬泛的工作溫度范圍,因此能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,確保長期可靠��
  這款功率MOSFET還具有出色的靜電放電(ESD)保�(hù)能力和抗浪涌能力,從而提高了系統(tǒng)的魯棒�??傮w而言,SUM75N06-09L-E3憑借其卓越的電氣性能和緊湊設(shè)�(jì),成為眾多功率管理應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SUM75N06-09L-E3適用于多種應(yīng)用場�,主要包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):作為功率級開�(guān)元件,提供高效的電力�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓�?fù)渲械闹鏖_�(guān)��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS):�(shí)�(xiàn)電池充放電路徑控制及保護(hù)功能�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如智能手�(jī)充電�、平板電腦適配器等產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)部件�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:電機(jī)�(qū)�、照明控制以及其他涉及功率處理的場合�
  6. 通信�(shè)施:基站供電單元、網(wǎng)�(luò)路由器電源模塊等�(lǐng)��

替代型號

SUM75N06-09L-E2, SUM75N06-09L-E4

sum75n06-09l-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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sum75n06-09l-e3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SUM75N06-09L
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C90A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs75nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.75W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-263(D2Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SUM75N06-09L-E3TR