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SUM110N04-03P-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 17:06:17 查看 閱讀：7

SUM110N04-03P-E3是一款高性能的MOSFET功率器件，屬于Sumoto品牌的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。該型號(hào)主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻、高切換速度和出色的熱性能。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了效率與散熱性能之間的平衡，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。
　　該器件采用TO-263封裝形式，適合表面貼裝工藝，從而提高了生產(chǎn)的自動(dòng)化程度和可靠性。由于其優(yōu)秀的電氣特性和封裝設(shè)計(jì)，SUM110N04-03P-E3廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率控制的場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：110A
　　導(dǎo)通電阻：2.8mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　功耗：11W
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：TO-263

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力，支持高達(dá)110A的連續(xù)漏極電流，滿足大功率應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
　　3. 快速開關(guān)特性，柵極電荷較低，可有效降低開關(guān)損耗。
　　4. TO-263封裝具備良好的散熱性能，能夠適應(yīng)高溫工作環(huán)境。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍，使其能夠在極端條件下可靠運(yùn)行。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求。

應(yīng)用

SUM110N04-03P-E3主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率開關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于實(shí)現(xiàn)高效的電機(jī)控制。
　　3. 工業(yè)逆變器中作為關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換組件。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源設(shè)備中的功率管理。
　　5. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路，確保系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
　　6. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)（BMS）中用作功率開關(guān)。

替代型號(hào)

SUM110N04-03P-E2, IRFP2907, STP110N04L

sum110n04-03p-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sum110n04-03p-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SUM110N04-03P
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝800
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C110A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫歐 @ 30A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs150nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6500pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.75W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-263（D2Pak）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SUM110N04-03P-E3-NDSUM110N04-03P-E3TR