時間：2025/5/24 14:14:28
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SUM110N04-03L 是一款基于硅技術(shù)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 芯片。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，廣泛應(yīng)用于各類電源管理場景中。其設(shè)計優(yōu)化了效率與散熱性能，在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
這種 MOSFET 主要用于需要高效能和低損耗的場合，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等電力電子設(shè)備中。
型號：SUM110N04-03L
VDS（漏源極擊穿電壓）：40V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：1.1mΩ
IDS（連續(xù)漏極電流）：110A
Qg（柵極電荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：1.6J
fSW（最大開關(guān)頻率）：1MHz
封裝形式：裸芯片
SUM110N04-03L 的主要特點是其具備超低導(dǎo)通電阻，這顯著降低了導(dǎo)通損耗，從而提升了整體系統(tǒng)效率。同時，它擁有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷，適合高頻操作環(huán)境。此外，該產(chǎn)品還具備良好的雪崩能力和熱穩(wěn)定性，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持可靠運行。
該芯片通過優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)設(shè)計，進(jìn)一步減少了寄生電感和電容的影響，使得動態(tài)性能更加優(yōu)越。在實際使用中，SUM110N04-03L 的這些特點使其成為高性能電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的理想選擇。
SUM110N04-03L 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。典型的應(yīng)用包括但不限于：
1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
3. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
4. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)
5. 太陽能逆變器中的功率級控制
6. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
由于其卓越的電氣特性和可靠性，SUM110N04-03L 在汽車電子、工業(yè)自動化和消費類電子產(chǎn)品中都得到了廣泛應(yīng)用。
SUM110N04-02L
SUM110N04-04H
