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SUB70N06-14 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 20:35:29 查看 閱讀：7

SUB70N06-14是一款基于MOSFET技術(shù)的N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Power MOSFET），主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。該器件采用TO-252封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力的特點(diǎn)，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)合。
　　這款MOSFET在工作時(shí)能夠以極低的功耗實(shí)現(xiàn)高效的電流切換，同時(shí)其小型化的封裝使其非常適合空間受限的電子設(shè)備設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：70A
　　導(dǎo)通電阻：3.8mΩ
　　柵極電荷：39nC
　　總電容：205pF
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=13ns, toff=30ns
　　封裝類型：TO-252

特性

SUB70N06-14具有非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這使得它能夠在高電流應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體效率。
　　此外，其快速的開(kāi)關(guān)速度降低了開(kāi)關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
　　該器件的柵極電荷較小，有助于減少驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性和成本。
　　由于采用了TO-252封裝，這種器件不僅具備良好的散熱性能，還能夠節(jié)省PCB板上的空間。

應(yīng)用

SUB70N06-14廣泛應(yīng)用于各類電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
　　4. 電池保護(hù)系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　5. 各類工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP75N6L
　　STP70NF06

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sub70n06-14參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓60 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流70 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）14 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 175 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TO-263-3
  • 封裝Reel
  • 下降時(shí)間11 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散3.7 W
  • 上升時(shí)間11 ns
  • 工廠包裝數(shù)量800
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間30 ns