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STW70N60M2 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:46:41 查看 閱讀�23

STW70N60M2是意法半�(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,非常適合用于高效率開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)�(yīng)用中。該芯片能夠承受高達600V的漏源極電壓,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
  STW70N60M2采用TO-220封裝形式,這種封裝便于散熱并適合多種應(yīng)用場�。同�,它還符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��

參數(shù)

漏源極電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�7A
  �(dǎo)通電阻:1.5Ω
  柵極電荷�39nC
  開關(guān)時間:ton=48ns,toff=35ns
  功耗:280W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

STW70N60M2具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,在額定條件下僅為1.5Ω,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,其柵極電荷小(39nC�,可以實�(xiàn)高效的高頻操��
  3. 高耐壓能力,最大漏源極電壓�600V,適用于高壓�(huán)境下的各類電路設(shè)��
  4. 強大的電流承載能�,連續(xù)漏極電流可達7A,峰值電流更��
  5. 良好的熱性能,采用TO-220封裝,方便安裝與散熱,確保長時間�(wěn)定運��
  6. 寬工作溫度范�,從-55℃到+175�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求�

�(yīng)�

STW70N60M2廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器、充電器��
  2. 工業(yè)電機控制及驅(qū)動電��
  3. 各類逆變器和�(zhuǎn)換器�(shè)��
  4. 高效功率管理模塊�
  5. 電磁閥和繼電器驅(qū)��
  6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

STW75N60M2
  IRFP460
  FDP18N60

stw70n60m2推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stw70n60m2資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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stw70n60m2參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�484�(xiàn)�
  • 價格1 : �90.31000管件
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)68A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)40 毫歐 @ 34A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)118 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)5200 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)450W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247
  • 封裝/外殼TO-247-3