STW21NM60N是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于需要高效率和低功耗的開關(guān)�(yīng)用。STW21NM60N的設(shè)計特別針對高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓特性�
此功率MOSFET的最大漏源電壓為600V,能夠滿足大多數(shù)高壓工業(yè)及消費類電子�(shè)備的需求。同�,其出色的動�(tài)性能使其非常適合于需要快速開�(guān)的應(yīng)用場合�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�45nC(典型值)
總電容(Ciss):2470pF(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
STW21NM60N具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
2. 低導(dǎo)通電阻(3.5Ω�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,從而減少磁性元件的尺寸和重量�
4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,降低了�(qū)動損��
5. 寬工作溫度范圍(-55℃至+150℃),保證了在極端條件下的可靠性�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品需求�
STW21NM60N廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,提供高效能的功率切換�
2. 電機(jī)控制:如家用電器中的小型電機(jī)�(qū)�,提供精確的電流控制�
3. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流電的�(shè)備,例如太陽能逆變��
4. LED�(qū)動器:實�(xiàn)高效的LED照明控制�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備:包括各種需要高壓功率開�(guān)的應(yīng)用場景�
IRFP250N, STP20NM60, FDP18N60