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STW21NM60N 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 17:47:50 查看 閱讀�21

STW21NM60N是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于需要高效率和低功耗的開關(guān)�(yīng)用。STW21NM60N的設(shè)計特別針對高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用場�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的擊穿電壓特性�
  此功率MOSFET的最大漏源電壓為600V,能夠滿足大多數(shù)高壓工業(yè)及消費類電子�(shè)備的需求。同�,其出色的動�(tài)性能使其非常適合于需要快速開�(guān)的應(yīng)用場合�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5Ω(典型�,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�45nC(典型值)
  總電容(Ciss):2470pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:TO-220

特�

STW21NM60N具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高擊穿電壓(600V�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用�
  2. 低導(dǎo)通電阻(3.5Ω�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,從而減少磁性元件的尺寸和重量�
  4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,降低了�(qū)動損��
  5. 寬工作溫度范圍(-55℃至+150℃),保證了在極端條件下的可靠性�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品需求�

�(yīng)�

STW21NM60N廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,提供高效能的功率切換�
  2. 電機(jī)控制:如家用電器中的小型電機(jī)�(qū)�,提供精確的電流控制�
  3. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流電的�(shè)備,例如太陽能逆變��
  4. LED�(qū)動器:實�(xiàn)高效的LED照明控制�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:包括各種需要高壓功率開�(guān)的應(yīng)用場景�

替代型號

IRFP250N, STP20NM60, FDP18N60

stw21nm60n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

stw21nm60n參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列MDmesh™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫歐 @ 8.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 50V
  • 功率 - 最�140W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-5024-5